Hole trapping on the twofold-coordinated silicon atom in SiO2статья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Hole trapping on the twofold-coordinated silicon atom in sio2 / A. V. Shaposhnikov, V. A. Gritsenko, G. M. Zhidomirov, M. Roger // Physics of the Solid State. — 2002. — Vol. 44, no. 6. — P. 1028–1030. The ability of a neutral diamagnetic twofold-coordinated silicon atom with two paired electrons (=Si: silylene center) in SiO2 to capture charge carriers is investigated by the ab initio density-functional method. It is found that this defect is a hole trap in SiO2. Hole trapping brings about the formation of paramagnetic twofold-coordinated silicon atoms with an unpaired electron =Si·. According to this prediction, the silylene center and the silicon-silicon bond can be responsible for the accumulation of the positive charge in metal-oxide-semiconductor structures under ionizing radiation. © 2002 MAIK "Nauka/Interperiodica". [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть