|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Моделирование квантового выхода вторичных электронов в области L23 краев поглощения Si в условиях зеркального отражения от структуры SiO2/Si/SiO2статья
- Авторы: Одинцова Е.Е., Андреева М.А., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Турищев С.Ю.
- Сборник: Материалы совещания «Рентгеновская оптика — 2010» (г. Черноголовка)
- Год издания: 2010
- Место издания: ИПТМ, г. Черноголовка
- Первая страница: 41
- Последняя страница: 43
- Добавил в систему: Андреева Марина Алексеевна