Влияние предварительной подсветки на скорость последующей термической релаксации фотоиндуцированной при Т>1500С метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:Hтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н. Влияние предварительной подсветки на скорость последующей термической релаксации фотоиндуцированной при Т>1500С метастабильной темновой проводимости пленок a-si:h // Сбонк трудов X Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". — Издательство политехнического университета Санкт-Петербург, 2016. — С. 70–71. В настоящей работе исследована кинетика термической релаксации фотоиндуцированной при Т=425К метастабильной темновой проводимости в нелегированных пленках a-Si:H после их подсветки на начальном этапе их релаксации. Обнаружены эффекты увеличения скорости и уменьшения времени термической релаксации фотоиндуцированной при 425К метастабильной темновой проводимости пленки a-Si:H после ее предварительной подсветки на начальном этапе релаксации. Показано, что увеличение скорости термической релаксации темновой проводимости после предварительной подсветки связано с уменьшением параметров растянутой экспоненты, описывающей кинетику этого процесса. Обнаруженное уменьшение параметров растянутой экспоненты вряд ли связано с существенной структурной перестройкой аморфной сетки, т.к. температура и интенсивность подсветки невелики. Изменение параметров может быть обусловлено изменением системы водородных связей и ансамбля медленных дефектов в результате их фотоиндуцированной генерации и релаксации подсветкой. Это что может влиять на скорость диффузии водорода, определяющей кинетику релаксации метастабильных медленных дефектов в пленке a-Si:H.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть