Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основестатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 декабря 2019 г.

Работа с статьей


[1] Теплопроводность кристалла gdvo4:tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе / А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Студеникин и др. // Квантовая электроника. — 1999. — Т. 27, № 1. — С. 16–18. Измерена теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+ в интервале температур 50 — 300 К. При температуре 300 К в направление оси С она составила 9.7 Вт/(м·К), что выше теплопроводности кристалла YAG:Cr,Tm,Ho. В микрочип-лазере на GdVO4:Tm3+ достигнута максимальная выходная мощность 1.4 Вт (λ = 1.915 мкм) при пороге генерации 5.7 Вт и дифференциальном КПД 9.2%. Показано, что для изготовления лазеров с диодной накачкой матрица GdVO4 имеет ряд преимуществ по сравнению с другими средами.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть