Thermal conductivity of a Tm3:GdVO4crystal and the operational characteristics of a microchip laser based on itстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 октября 2019 г.

Работа с статьей


[1] Thermal conductivity of a tm3:gdvo4crystal and the operational characteristics of a microchip laser based on it / A. I. Zagumennyi, Y. D. Zavartsev, P. A. Studenikin et al. // Quantum Electronics. — 1999. — Vol. 29, no. 4. — P. 298–300. The thermal conductivity of a Tm3+:GdVO4 crystal was measured in the temperature range 50 - 300 K. At a temperature of 300 K, the thermal conductivity along the c axis amounted to 9.7 W m-1 K-1, which is higher than the thermal conductivity of a Cr:Tm:Ho :YAG crystal. A maximum output power of 1.4 W (λ=1.915 μm) was attained in a Tm3+:GdVO4 microchip laser for a lasing threshold of 5.7 W and a differential efficiency of 9.2%. A GdVO4 array was found to have a number of advantages compared with other media for the fabrication of diode-pumped lasers. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть