Effects of InAlN underlayer on deep traps detected in near-UV InGaN/GaN single quantum well light-emitting diodesстатья Исследовательская статья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 ноября 2019 г.