|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
High reflectivity airgap distributed Bragg reflectors realized by wet etching of AlInN sacrificial layersстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 октября 2019 г.
- Авторы: Alexei Altoukhov, Jacques Levrat, Eric Feltin, Jean-François Carlin, Antonino Castiglia, Raphaël Butté, Nicolas Grandjean
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 95
- Номер: 19
- Год издания: 2009
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 191102
- Последняя страница: 191102-3
- DOI: 10.1063/1.3259720
- Аннотация: The authors report on the achievement of a vertically oriented three pair airgap/GaN distributed Bragg reflector realized by controlled oxidation and wet-chemical etching of AlInN sacrificial layers. Microreflectivity measurements exhibit high peak reflectivity values of 87% around 500 nm after the oxidation process and 90% around 600 nm after the etching process in overall good agreement with simulations. The broad stopband of airgap/GaN mirrors, about 250 nm wide, results from the strong refractive index contrast between air and GaN layers.
- Добавил в систему: Алтухов Алексей Валерьевич