|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
МЕХАНИЗМ ТРАВЛЕНИЯ GАAS В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ТЕТРАХЛОРИДОМ УГЛЕРОДА В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИстатья
- Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.
- Журнал: Вестник МИТХТ
- Том: 8
- Номер: 4
- Год издания: 2013
- Первая страница: 77
- Последняя страница: 79
- Аннотация: Изучен процесс травления эпитаксиальных слоев GaAs в процессе легирования тетрахлоридом углерода в технологически привлекательном диапазоне режима роста (t = 600-800°С) в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что с повышением температуры ведущим механизмом становится травление GaAs с образованием летучего GaCl 3
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич