|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ КВАНТОВЫХ ЯМ GAAS/GAINP И GAAS/ALGAAS, ПОЛУЧЕННЫХ В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
- Авторы: Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Рябоштан Ю.Л., Багаев Т.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Васильев М.Г.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 55
- Номер: 4
- Год издания: 2019
- Первая страница: 345
- Последняя страница: 349
- DOI: 10.1134/S0002337X19040092
- Аннотация: Представлены результаты сравнительных экспериментальных исследований по получению квантовых ям (КЯ) GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что КЯ GaAs/GaInP демонстрируют более интенсивный (в 50–100 раз), но при этом более широкий (~ в 2.5 раза) сигнал фотолюминесценции по сравнению с КЯ GaAs/AlGaAs. Проанализированы различные подходы по управлению спектрами излучения данных КЯ.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич