Laser-induced modification of n-GaAs below the classical melting thresholdстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.

Работа с статьей

[1] Dittrich T., Timoshenko V. I. Laser-induced modification of n-gaas below the classical melting threshold // Physica status solidi (A): Applied research. — 1990. — Vol. 121, no. 2. — P. 547–554. Laser stimulated processes in Si- and S-doped n-GaAs epitaxial layers are investigated by photoreflectance (PR), time resolved reflectivity (TRR), and photoluminescence (PL). The samples are irradiated with pulses from a ruby laser (20 ns pulse length). It is shown, that a precise in-situ determination of the melting threshold is possible using qualitative changes of PR, while TRR gives a threshold much higher than the melting threshold. A modification of the built-in electrical field (F) is observed in the pre-melting region, while the Si- and S-doped samples show opposite tendencies. A threshold of the PR and PL amplitude modification is determined before the modification of F occurs. It is found, that the laser generated centres of non-irratiative recombination decrease the PR modulation efficiency. The TRR characteristics are explained by the calculated evolution of the temperature distribution. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть