Noise characteristics of a single-electron transistor based on highly doped silicon-on-insulatorтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Noise characteristics of a single-electron transistor based on highly doped silicon-on-insulator / V. A. Krupenin, D. E. Presnov, V. S. Vlasenko et al. // Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of 15th Int. Symposium - Nanostructures: Physics and Technology. — Ioffe Novosibirsk, Russia, 25-29 June, 2007. — P. 149–150.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть