|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ИЗМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПРИПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ SI, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ZN, В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ФЛЮЕНСА ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ 132XE26+ С ЭНЕРГИЕЙ 167 МЭВстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
- Авторы: Привезенцев В.В., Куликаускас В.С., Скуратов В.А., Зилова О.С., Бурмистров А.А., Пресняков М.Ю., Горячев А.В.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 53
- Номер: 3
- Год издания: 2019
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 332
- Последняя страница: 339
- Добавил в систему: Затекин Владимир Витальевич