Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоëв CdHgTe
статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Авторы:
Филиппов С.Н.
,
Болтарь К.О.
Журнал:
Труды Московского физико-технического института
Том:
2
Номер:
1
Год издания:
2010
Издательство:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)"
Местоположение издательства:
Долгопрудный
Первая страница:
52
Последняя страница:
66
Добавил в систему:
Филиппов Сергей Николаевич