|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The DX-centre assisted quenching of persistent photoconductivity by high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Senichkin A.P.
- Сборник: Compound Semiconductors 1996
- Серия: Institute of Physics Conference Series, Chapter 2
- Том: 155
- Год издания: 1997
- Место издания: Institute of Physics pblishing Ltd
- Первая страница: 121
- Последняя страница: 124
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович