|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Creation of Acceptor Centers in ZnO Single Crystals by Annealing in Sb Vaporстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 октября 2019 г.
- Авторы: Taibarei Nikolai O., Kytin Vladimir G., Kupriyanov Eugenii E., Kulbachinskii Vladimir A., Makhiboroda Maksim A., Baranov Andrei N.
- Журнал: Journal of Physical Chemistry C
- Том: 123
- Номер: 34
- Год издания: 2019
- Издательство: American Chemical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 20769
- Последняя страница: 20773
- DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b05762
- Аннотация: We have investigated the influence of Sb on the carrier concentration of ZnO single crystals. ZnO single crystal substrates were doped in a sealed ampule by annealing in the Sb vapor at temperatures from 700 to 900°C in order to create acceptor centers in ZnO. The dopant concentration profiles were determined by secondary ion mass spectrometry. A significant distinction in dopant concentrations as well as depth of penetration was observed for different temperatures of annealing. Electrical properties of the samples were studied by Hall Effect and resistivity measurements. Valence states of Sb in the samples were investigated by XPS method to prove incorporation of the latter in the matrix of ZnO before and after oxygen annealing. The evolution of the carrier concentration of ZnO along with the valence state of Sb is explained.
- Добавил в систему: Баранов Андрей Николаевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Creation_of_Acceptor_Centers_in_ZnO_Single_Crystals_by_Anne… | 919,0 КБ | 17 декабря 2020 [anb@inorg.chem.msu.ru] |