Transversal Kerr effect of In1-xMnxAs layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealingстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 ноября 2016 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. jjap_55_7S3_07MF02.pdf jjap_55_7S3_07MF02.pdf 1,3 МБ 20 июня 2016 [eagan]

[1] Transversal kerr effect of in1-xmnxas layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealing / G. Elena, G. Leonard, K. Zoya et al. // Japanese Journal of Applied Physics. — 2016. — Vol. 55. — P. 07MF02–1–07MF02–5. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть