Электролюминесценция p-n-переходов из GaSb, легированных амфотерной примесью Snстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.

Работа с статьей


[1] Лебедев А. И., Стрельникова И. А. Электролюминесценция p-n-переходов из gasb, легированных амфотерной примесью sn // Физика и техника полупроводников. — 1979. — Т. 13, № 10. — С. 2032–2034.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть