Фотолюминесценция легированных множественных квантовых ям GaAs/AlGaAs при высоком уровне возбуждениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2018 г.
Аннотация:При высоком уровне возбуждения ~ 2· 10 5 Вт/см2 и T=80 K исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) множественных квантовых ям (МКЯ) GaAs/Alx Ga1-x As с ширинами ям Lz=3/4 нм, легированных донорами (Si). Полуширина спектров достигала 40/100 мэВ. Рассмотрено влияние флуктуации ширины ям, концентрации легирующих доноров ND~ (0.5/1)· 10 18 см-3, а также плотности двумерного электронно-дырочного газа на спектры ФЛ. Показано, что при неравновесных концентрациях n2D~ (10 11/10 12) см-2 cущественны как заполнение квазидвумерных состояний в сторону высоких энергий, так и перенормировка запрещенной зоны легированной двумерной системы.