Аннотация:Объясняется, что такое излучательная рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках - научная основа для создания полупроводниковых источников света – светодиодов и инжекционных лазеров. Объясняется, что такое гетеропереходы в полупроводниках и роль лауреата Нобелевской премии Ж.И.Алферова в их открытии. Рассмотрены спектры излучения, электрические свойства и цветовые характеристики сверхъярких светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами на основе нитрида галлия и его твердых растворов, InGaN/AlGaN/GaN. Обсуждаются возможности создания светодиодов белого свечения и их применения в освещении. Показаны примеры применения новых светодиодов в дорожных светофорах и указателях, в панно и рекламных щитах, осветительных устройствах. Указывается на важность практических применений светодиодов для экономики.