Chemical dynamics of equivalent to SiOC center dot O radicals grafted on the activated silica surfaceстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:The chemical dynamics of =(SiOCO)-O-. radicals grafted on the silica surface was studied in the 77-290 K temperature interval. The rotation diffusion coefficients and characteristic times of rotational mobility of the radicals were estimated.