Charge carrier capture on semiconductor Coulomb centers with excitation of local center oscillationsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Dmitriev A. V., Davidova I. E. Charge carrier capture on semiconductor coulomb centers with excitation of local center oscillations // Soviet Physics Journal. — 1984. — Vol. 27, no. 5. — P. 383–385. Carrier lifetime in a semiconductor is calculated for capture in shallow Coulomb impurities with energy transfer to local center oscillations. The situation is considered in which the trap depth eopen I=Ry */2 is less than the local phonon energy and the temperature is low: T ≪ eopen I. The electron-phonon interaction is accomplished by change in the dipole component of the impurity potential or the short distance component of its potential. Under certain conditions this mechanism can be more effective than the cascade mechanism. © 1984 Plenum Publishing Corporation. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть