Background charge influence on single-electron devices: single-electron transistor and trapтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Presnov D. E., Krupenin V. A., Lotkhov S. V. Background charge influence on single-electron devices: single-electron transistor and trap // Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology. — Ioffe St.Petersburg, Russia, 24-28 June, 1996. — P. 183–186.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть