Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectanceтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Estimation of the lifetime of nonequilibrium carriers in delta-doped gaas by photoreflectance / P. Bokov, L. Avalyants, A. Chervyakov et al. // Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014. — Остин, Техас, США, 2014.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть