Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effectsтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Electroreflectance from multiple ingan/gan quantum wells: Interference effects / L. Avakyants, A. Aslanyan, P. Bokov et al. // Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014. — Остин, Техас, США, 2014.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть