Characterization of the MOVPE grown InGaAs/InGaAsP quantum wells by means of photoreflectanceтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Characterization of the movpe grown ingaas/ingaasp quantum wells by means of photoreflectance / L. P. Avakyants, P. Y. Bokov, A. V. Chervyakov et al. // Тезисы докладов 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 13th – 18th July 2014, Швейцария, 2014. — Ecole Polytechnique Lausanne Лозанна, Швейцария, 2014.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть