Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражениятезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры ingan/algan/gan методом спектроскопии электроотражения / Л. П. Авакянц, А. Э. Асланян, П. Ю. Боков и др. // Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы (GaN InN AlN 2015). — Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, 2015.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть