DEEP RADIATION-DEFECT LEVEL IN ELECTRON-IRRADIATED N-TYPE INDIUM-ANTIMONIDEстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] DMITRIEV V., SKIPETROV E. Deep radiation-defect level in electron-irradiated n-type indium-antimonide // Soviet Physics Semiconductors-Ussr. — 1990. — Vol. 24, no. 5. — P. 564–566.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть