|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Highly doped SOI based single-electron transistor: noise characteristics and charge sensitivityтезисы доклада
- Авторы: Presnov D.E., Vlasenko V.S., Amitonov S.V., Krupenin V.A.
- Сборник: Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2009” (ICMNE-2009)
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Место издания: Zvenigorod, Moscow region, Russia, 5-9 October
- Первая страница: P1-02
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич