Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As р-типастатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах al0.5ga0.5as/gaas/al0.5ga0.5as р-типа / В. Краак, Н. Я. Минина, А. М. Савин и др. // Письма в Журнал технической физики. — 2002. — Т. 28, № 12. — С. 85–90.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть