|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
AN OPERATING REGIME BASED ON SWITCHING EFFECTS FOR PHOTODETECTORS OF PB1-XSNXTE(IN) MBE FILMSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: AKIMOV BA, RYABOVA LI, SHUMSKIY VN, PETIKOV NI
- Журнал: Infrared physics
- Том: 34
- Номер: 4
- Год издания: 1993
- Издательство: Pergamon Press.
- Местоположение издательства: Oxford [Elmsford, N. Y.], England
- Первая страница: 375
- Последняя страница: 378
- DOI: 10.1016/0020-0891(93)90069-J
- Аннотация: Pb1-xSnTe(In)(x = 0.20) MBE films have been prepared on BaF2 substrates. The characteristics of resistivity relaxation under the combined effect of a pulsed electric field and IR illumination have been investigated. We have shown that the films can be used as rather fast-response photodetectors operating in a regime of periodic accumulation and quenching of the signal.
- Добавил в систему: Рябова Людмила Ивановна