|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Транзистор с кремниевым нанопроводом в качестве высокочувствительного химического и биосенсоратезисы доклада
- Авторы: Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Амитонов С.В., Евтушенко Е.Г., Курочкин И.Н., Ушакова Ю.С.
- Сборник: тезисов III Евразийского конгресса по медицинской физике и инженерии «Медицинская физика – 2010»
- Том: 3
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: МГУ Москва, Россия, 21-25 Июня
- Первая страница: 257
- Последняя страница: 259
- Аннотация: In this work authors present the results of the fabrication technology development and the experimental study of silicon nanowire field effect transistor (NW FET) as a potential sensor for application in biology and medicine. The original fabrication technology used silicon-on-insulator (SOI) material and did not involve Si doping and activation processes. Current-voltage characteristics of the experimental structures were measured in a buffer solutions over a wide range (0 - 10 V) of the gate voltages. The possibility of using of the silicon NW FET as a sensitive field/charge sensor was demonstrated by pH measurements, Protein G antibody and antibody-antigen (transferrin) affine interaction measurements.
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич