|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Enhanced photon lifetime in silicon nanowire arrays and increased efficiency of optical processes in themстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 июня 2016 г.
- Авторы: Efimova A., Eliseev A., Georgobiani V., Kholodov M., Kolchin A., Presnov D., Tkachenko N., Zabotnov S., Golovan L., Kashkarov P.
- Журнал: Optical and Quantum Electronics
- Том: 48
- Номер: 4
- Год издания: 2016
- Издательство: Springer Nature
- Местоположение издательства: Switzerland
- Первая страница: 232-1
- Последняя страница: 232-8
- DOI: 10.1007/s11082-016-0495-0
- Аннотация: Silicon nanowire (SiNW) arrays formed by metal-assisted chemical etching of boron low-doped crystalline silicon (c-Si) substrates were studied regarding enhanced efficiency of optical interactions in them. Along with high diffuse reflection of the structures under study, Raman and third-harmonic signals exhibited an order of magnitude growth compared to c-Si response in the near-infrared spectral region. Changes in the orientation dependencies of the third-harmonic intensity with SiNW length increase promoted the explanation of the optical peculiarities of SiNW arrays. Cross-correlation of the scattered radiation function evidenced that the effects could be explained by enhanced photon lifetime inside mesoscopic structure of SiNW arrays due to multiple scattering. Hence a correlation between the photon lifetime and the Raman and third-harmonic efficiency in SiNWs was revealed.
- Добавил в систему: Ефимова Александра Ивановна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | art253A10.1007252Fs11082-016-0495-0.pdf | 1,0 МБ | 22 марта 2016 [efimovaai] |