Growth of InN films and nanorods by H-MOVPEстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Growth of inn films and nanorods by h-movpe / H. J. Park, O. Kryliouk, T. Anderson et al. // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. — 2007. — Vol. 37, no. 1-2. — P. 142–147. InN films and nanorods were grown by hydride metalorganic vapor phase epitaxy (H-MOVPE) and the effects of growth temperature, and NH3/TMIn and HCl/TMIn ratios on morphological dependences were studied. The growth habit of InN varied from thin film to microrod to nanorod to no deposition as the growth conditions were changed about transition from growth to etching conditions. The growth and etch regimes were also predicted by chemical equilibrium calculations of In-C-H-Cl-N-inert system. The optical properties of InN nanorods and columnar structured films were measured by room temperature PL and a maximum intensity was observed at 1.08 eV for both structures. (C) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть