|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Prevention of In droplets formation by HCl addition during metal organic vapor phase epitaxy of InNстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 ноября 2012 г.
- Авторы: Kang Sang Won, Park Hyun Jong, Won Yong Sun, Kryliouk Olga, Anderson Tim, Khokhlov Dmitry, Burbaev Timur
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 90
- Номер: 16
- Год издания: 2007
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.2730582
- Аннотация: The low decomposition temperature of InN and relatively high thermal stability of NH3 necessitate the use of a high NH3/TMIn ratio to prevent In droplet formation on the surface. This work shows that the addition of Cl in the form of HCl (Cl/In molar ratio range of 0.3-1.4) to the growth chamber allows the growth of high quality InN films without the formation of a second In phase at a very low value of the N/In molar inlet ratio (2500). Photoluminescence spectra in the temperature range of 144 to 4.5 K showed a broad spectral band with a cutoff energy close to the reported minimum of the InN band gap energy (0.65 eV). (c) 2007 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович