|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Low temperature thermal, thermoelectric, and thermomagnetic transport in indium rich Pb(1-x)Sn(x)Te alloysстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 ноября 2012 г.
- Авторы: Jovovic V., Thiagarajan S.J., Heremans J.P., Komissarova T., Khokhlov D., Nicorici A.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 103
- Номер: 5
- Год издания: 2008
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.2890150
- Аннотация: Galvanomagnetic and thermomagnetic data of single crystal indium rich Pb(1-x)Sn(x)Te are analyzed, and electronic band parameters are calculated using nonparabolic band model. Transport properties at 80 K are presented as a function of Sn (x=0-0.3) and In concentrations. Our results indicate pinning of Fermi level by indium impurity levels in these alloys. Effects of interaction of band with impurity level are investigated in terms of change in effective mass and energy scattering exponent. Indium doping slightly improves the thermoelectric properties of PbSnTe alloys. (c) 2008 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович