|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Properties of InGaAs/GaAs quantum wells with a delta < Mn >-doped layer in GaAsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Aronzon B.A., Granovsky A.B., Davydov A.B., Danilov Yu A., Zvonkov B.N., Ryl'kov V.V., Uskova E.A.
- Журнал: Physics of the Solid State
- Том: 49
- Номер: 1
- Год издания: 2007
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 171
- Последняя страница: 177
- DOI: 10.1134/S1063783407010271
- Аннотация: A method of formation of two-dimensional structures containing a delta < Mn >-doped layer in GaAs and an InxGa1-x. As quantum well (QW) separated by a GaAs spacer ofthickness d = 4-6 nm is developed using laser evaporation of a metallic target during MOS hydride epitaxy. It is shown that, up to room temperature, these structures have ferromagnetic properties most likely caused by MnAs clusters. At low temperatures (T 30 K), the anomalous Hall elect is revealed to occur. This effect is related to hole scattering by Mn ions in GaAs and to the magnetic exchange between these ions and QW holes, which determines the spin polarization of the holes. The behavior of the negative magnetoresistance of these structures at low temperatures indicates the key role of quantum interference effects.
- Добавил в систему: Грановский Александр Борисович