Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriersстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 мая 2018 г.

Работа с статьей


[1] Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers / V. A. Krupenin, A. B. Zorin, D. E. Presnov et al. // Physics Uspekhi. — 2001. — Vol. 44, no. Supplement 171 (10). — P. 113–116. We report a new type of single-electron transistor (SET) comprising two highly resistive Cr thin-film strips (∼ 1 μm long) connecting a 1 μm-long Al island to two Al outer electrodes. These resistors replace small-area oxide tunnel junctions of traditional SETs. Our transistor with a total asymptotic resistance of 110 kΩ showed a very sharp Coulomb blockade and reproducible, deep and strictly e-periodic gate modulation in wide ranges of bias currents I and gate voltages Vg. In the Coulomb blockade region (|V| ≤ about 0.5 mV), we observed a strong suppression of the co-tunneling current allowing appreciable modulation curves V(Vg) to be measured at currents I as low as 100 fA. The noise figure of our SET was found to be similar to that of typical Al/AlOx/Al single-electron transistors, viz. δQ approx 5 × 10-4e/√Hz at 10 Hz. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть