Акцепторная примесь Be в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5Asтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Акцепторная примесь be в гетероструктурах p-gaas/al0.5ga0.5as / Е. В. Богданов, А. А. Ильевский, Н. Я. Минина, В. Краак // Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников Полупроводники 2007. — г. Екатеринбург, Институт физики металлов УрО РАН, 2007. — С. 378.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть