Ab Initio Simulation of Resonant Forbidden Reflections in Ge Crystalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 апреля 2022 г.
Аннотация:Высокая чувствительность резонансной дифракции рентгеновских лучей к искажению локальной симметрии кристаллов делает ее перспективным методом для получения детальной информации о структурных, тепловых и электронных свойствах вещества. Преимущество резонансных запрещенных отражений по сравнению с резонансным поглощением и DAFS состоит в том, что они обусловлены рассеянием излучения отдельной группой атомов и не содержат нерезонансного вклада. Хорошо оборудованные станции синхротронного излучения позволили исследовать энергетические и азимутальные зависимости запрещенных отражений во многих кристаллах. Однако численная обработка этих спектров представляет сложную задачу для теоретиков, поскольку не существует аналитических методов расчета структурной амплитуды некоторых видов отражений. В настоящей статье предлагается новый метод расчета интенсивности термоиндуцированных отражений. Он включает в себя два этапа: моделирование мгновенных атомных конфигураций методом ab
initio молекулярной динамики и последующие квантовомеханические расчеты резонансной амплитуды рассеяния для разных конфигураций. Этот метод, использованный для определения температурного поведения отражения 600 в Ge, дал хорошее согласие с экспериментальными результатами. Использованная ранее для обработки отражения 600 методика давала неплохое согласие с экспериментальными данными, но не была достаточно универсальной, т.е. не годилась для других кристаллов. В настоящей работе предлагается метод расчета интенсивности запрещенных отражений, который может быть использован для любых структур и позволит объяснить многие экспериментальные данные, полученных к настоящему моменту на синхротронах.