Quantification of modifiers in advanced materials based on zinc oxide by total reflection X-ray fluorescence and inductively coupled plasma mass spectrometryстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 мая 2016 г.

Работа с статьей


[1] Quantification of modifiers in advanced materials based on zinc oxide by total reflection x-ray fluorescence and inductively coupled plasma mass spectrometry / D. G. Filatova, N. V. Alov, N. A. Vorobyeva et al. // Spectrochimica Acta - Part B: Atomic Spectroscopy. — 2016. — Vol. 118. — P. 62–65. A novel approach to quantification of Ga and Zn modifiers in advanced materials based on zinc oxide is presented. The approach includes a combination of total reflection X-ray fluorescence (TXRF) and inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) for determination and validation of the results. It is suggested to use aqueous standards for the direct determination of elements in powder samples by TXRF with a relative standard deviation no more than sr = 0.11. The accuracy of these results was proved by ICP-MS after the sample decomposition, sr(In) = 0.05, sr(Ga) = 0.06 and sr(Zn) = 0.06. It was established that there is a possibility to determine indium above 300 ppb on the background of K-M3 line of argon. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть