|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Novel muonium centers-magnetic polarons-in magnetic semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Storchak V.G., Parfenov O.E., Brewer J.H., Russo P.L., Stubbs S.L., Lichti R.L., Eshchenko D.G., Morenzoni E., Zlomanov V.P., Vinokurov A.A., Bamburov V.G.
- Журнал: Physica B: Condensed Matter
- Том: 404
- Номер: 5-7
- Год издания: 2009
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 899
- Последняя страница: 902
- DOI: 10.1016/j.physb.2008.11.141
- Аннотация: Muonium centers are readily formed in a wide variety of insulators and semiconductors due to enormous capture cross sections of the unscreened Coulomb potential produced by positive muons. Following the initial capture, different processes of electron localization produce two basically different muonium atoms-deep centers with the characteristic length scale of about the Bohr radius and shallow centers where electron is delocalized over many dozens of lattice spacings. in magnetic semiconductors, additional localization mechanism-exchange interaction-causes electron localization around the muon within about one lattice spacing. This novel muonium center-bound magnetic polaron-is found in Eu and Sm chalcogenides and ferromagnetic spinels. Crown Copyright (C) 2008 Published by Elsevier B.V. All rights reserved.
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович