Germanium diffusion in lead telluride crystalстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Germanium diffusion in lead telluride crystal / L. V. Yashina, T. B. Shatalova, V. B. Bobruiko et al. // Solid State Ionics. — 1997. — Vol. 101. — P. 533–538. Germanium diffusion in p-type PbTe (p = 8 x 10(17)-2.6 x 10(18) cm(-3)) was investigated by sputtered neutrals mass-spectrometry (SNMS) and layer-by-layer X-ray analysis at temperatures T = 853-973 K. The problem of optimization of annealing conditions for diffusion study was discussed. From the temperature dependence of the germanium diffusion coefficient (D-Ge) activation energy was calculated (E-A = 1.4 +/- 0.1 eV). It was found that D-Ge is proportional to hole concentration. The vacancy mechanism is likely predominant. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть