|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
T-x diagram and transport properties of the GeSe-GeI2 solid electrolyteстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Danilov D.N., Leushina A.P., Zlomanov V.P.
- Журнал: Russian Journal of Physical Chemistry A
- Том: 80
- Номер: 11
- Год издания: 2006
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 1837
- Последняя страница: 1841
- DOI: 10.1134/S0036024406110288
- Аннотация: The T-x diagram for the GeSe-GeI2 system was plotted based on DTA, XRD, and conductivity data. The diagram features a simple eutectic and a limited region of solid solutions with prevalent GeSe content. It was established that, in the region of solid solutions, the properties of the GeSe-GeI2 solid electrolyte are substantially dependent on the concentration of the GeI2 dopant. The highest conductivity (10(-3)- 10(-4) S/cm at 150 degrees C), lowest activation energy of electric conduction (0.3-0.4 eV), and lowest electronic (hole) transport numbers (10(-5)-10(-7) at 150 degrees C) at high ionic (similar to 1.0) and cationic (0.9-1.0) transport numbers were observed at a GeI2 concentration of 3-6 mol %. In the two-phase region, the transport properties (conductivity and activation energy of conduction) only slightly depend on the dopant concentration.
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович