|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Is there a limit for the passivation of Si surfaces during anodic oxidation in acidic NH4F solutions?статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Rappich J., Timoshenko V.Y., Wurz R., Dittrich T.
- Журнал: Electrochimica Acta
- Том: 45
- Номер: 28
- Год издания: 2000
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 4629
- Последняя страница: 4633
- DOI: 10.1016/S0013-4686(00)00614-9
- Аннотация: The interface state densities of wet anodic oxide layers on Si are normally very high and, therefore, there is need for special post-treatments. Repetitive oxidation/hydrogenation cycles in the current oscillating regime lead to improved passivation of the SiO2/Si interface. The atomic force microscopy (AFM) images reveal the formation of macroscopically rough surfaces (holes with a diameter of at least 100 nm and a depth of up to 10 nm). This kind of surface structure is more favourable to decrease the strain induced by the Si-O-Si bond angle mismatch. This peculiarity of Si surfaces conditioning in acidic NH4F solutions leads to a reduction of the defect concentration at the SiO2/Si interface without further processing. (C) 2000 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич