|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Photoluminescence of Er3+ ions in amorphous silicon layers under intensive laser excitationстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kamenev B.V., Emel'yanov V.I., Konstantinova E.A., Kashkarov P.K., Timoshenko V.Y., Chao C., Kudoyarova V.K., Terukov E.I.
- Журнал: Applied Physics B: Lasers and Optics
- Том: 74
- Номер: 2
- Год издания: 2002
- Издательство: Springer Verlag
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 151
- Последняя страница: 154
- DOI: 10.1007/s003400100778
- Аннотация: Transients of the photoluminescence (1.54 mum) of Er3+ ions embedded in an amorphous silicon matrix excited with intensive laser pulses are simulated using a phenomeno-logical model which takes into account both the defect-related excitation mechanism and stimulated optical transitions in the ions. The simulated transients are compared with the experimental ones observed in Er-doped amorphous silicon layers under pulsed laser excitation. The modeling and the experimental results demonstrate a possibility to realize a regime of superradiance, in the system of Er3+ ions pumped via an electronic excitation of the amorphous matrix.
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич