Аннотация:Для ионно-имплантированных тонких пленок Ge:Mn (4 at.% Mn), содержащих кластеры Ge3Mn5, получены температурные зависимости намагниченности M(T), измеренные после охлаждения пленок в нулевом магнитном поле (ZFC) и в магнитном поле 10 kOe (FC). Установлено, что вид ZFC-FC-кривых M(T) определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров, задаваемым их распределением по размеру. Анализ ZFC-FC-кривых позволил оценить температуру блокировки и дисперсию магнитной анизотропии кластеров, а также константу магнитной анизотропии.