Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражениястатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 августа 2019 г.

Работа с статьей


[1] Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами gan/ingan методом электроотражения / А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53, № 4. — С. 493–499.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть