dc-electric-field-induced second-harmonic generation in Si(111)-SiO2-Cr metal-oxide-semiconductor structuresстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст PRB54_1825_1996.pdf 166,3 КБ 20 марта 2016 [fedyanin]

[1] dc-electric-field-induced second-harmonic generation in si(111)-sio2-cr metal-oxide-semiconductor structures / O. A. Aktsipetrov, A. A. Fedyanin, E. D. Mishina et al. // Physical Review B. — 1996. — Vol. 54, no. 3. — P. 1825–1832. The mechanism of dc-electric-field-induced second-harmonic generation (EISH) was studied at the buried Si(111)-SiO2 interface in transmission through a planar Si-SiO2-Cr MOS structure. The second-harmonic contribution of the field-induced quadratic polarization generated in the space-charge region is determined. The role of the spatial distribution of the de electric field inside the silicon space-charge region is demonstrated, as well as the influence of the oxide thickness. We have developed a phenomenological model of the EISH taking into account the interference between field-dependent and field-independent contributions to the nonlinear polarization (nonlinear interference) as well as the retardation of the EISH wave. We show that, due to these interference effects, the minima of the EISH curves do not coincide with the flatband voltage. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть