Growing of Si/Si1-xGex/Si (x<0.1) quantum wells by modulation of the Ge flowтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 июля 2019 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Growing of si/si1-xgex/si (x<0.1) quantum wells by modulation of the ge flow / A. V. Klekovkin, I. P. Kazakov, V. A. Tsvetkov et al. // Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018). — Москва: Москва, 2018. — P. 189.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть