Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronics

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronicsтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 июля 2019 г.

Авторы: Burbaev T.M., Sadofyev Yu G., Akmaev M.A., Aleshkin V.Ya, Aleshchenko Yu A., Klekovkin A.V., Muratov A.V., Novikov A.V., Ushakov V.V., Yunin P.A., Yurasov D.V.
Сборник: Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018)
Тезисы
Год издания: 2018
Издательство: ООО "МАКС Пресс"
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 172
Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович

Показать публикацию в формате:
BibTeX | EndNote | RIS | Word | ISI | ADS

[1]	Growing on silicon multilayer heterostructures of ge/sige for optoelectronics / T. M. Burbaev, Y. G. Sadofyev, M. A. Akmaev et al. // Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018). — Москва: Москва, 2018. — P. 172.